English+GermanWikipedia - /page/entry.mu

Micron Document

<!DOCTYPE html>

<title>Leckstrom</title>

</head>

<h1 id="firstHeading" class="firstHeading mw-first-heading">Leckstrom</h1>

</header>

</div>

Als Leckstrom bezeichnet man in der Elektrotechnik und Elektronik einen <a href="Elektrischer_Strom" title="Elektrischer Strom">elektrischen Strom</a>, der in Bauelementen über einen Pfad fließt, der nicht zur Leitung von Strom vorgesehen ist.<a href="#cite_note-Quelle_1-1">[1]</a> Der Leckstrom ist ein wichtiger Indikator für den qualitativen Aufbau der Schichten von Halbleiterbauteilen.<a href="#cite_note-Quelle_2-2">[2]</a> Die Höhe des Leckstroms bei Halbleiterbauteilen ist temperaturabhängig.<a href="#cite_note-Quelle_1-1">[1]</a>

Auch der <a href="Ableitstrom" title="Ableitstrom">Ableitstrom</a> wird (zumal im Englischen beides leakage current genannt wird<a href="#cite_note-Quelle_8-3">[3]</a><a href="#cite_note-4">[4]</a>) zuweilen als Leckstrom bezeichnet<a href="#cite_note-5">[5]</a>, obwohl der Leckstrom nur eine Komponente des Ableitstroms ist.<a href="#cite_note-6">[6]</a>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Grundlagen">Grundlagen</h2></div>

Im Idealfall sind Keramiken, wie sie in elektronischen Bauteilen verwendet werden, elektrische Isolatoren, sodass beim Anlegen eines elektrischen Feldes kein Strom fließen kann.<a href="#cite_note-Quelle_2-2">[2]</a> Dies gilt insbesondere dann, wenn sich das Halbleiterbauteil im sperrenden Zustand befindet.<a href="#cite_note-Quelle_3-7">[7]</a> In Sperrrichtung können dann theoretisch beliebig hohe Spannungen angelegt werden, ohne dass es zu einem Stromfluss kommt.<a href="#cite_note-Quelle_4-8">[8]</a> Allerdings wird dieser Idealfall in der Realität nicht erreicht.<a href="#cite_note-Quelle_2-2">[2]</a> Insbesondere bei Leistungshalbleitern fließt auch in Sperrrichtung ein kleiner Strom, der als Leckstrom bezeichnet wird.<a href="#cite_note-Quelle_4-8">[8]</a> Der Leckstrom unterliegt einer Vielzahl von unterschiedlichen Einflüssen.<a href="#cite_note-Quelle_7-9">[9]</a> Die Höhe des Leckstroms ist neben der <a href="Dielektrizit%C3%A4tskonstante" class="mw-redirect" title="Dielektrizitätskonstante">Dielektrizitätskonstanten</a> ein wichtiges Kriterium für die Nutzung von elektronischen Bauteilen mit elektrokeramischen Dünnschichten.<a href="#cite_note-Quelle_6-10">[10]</a>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Auftreten">Auftreten</h2></div>

Leckströme können auftreten, wenn

<ul><li>es in Solarmodulen zu Potentialschwankungen des Wechselrichters kommt;<a href="#cite_note-Quelle_4-8">[8]</a></li>

<li>im Inneren von <a href="Halbleiter" title="Halbleiter">Halbleitern</a> spontan freie <a href="Ladungstr%C3%A4ger_(Physik)" title="Ladungsträger (Physik)">Ladungsträger</a> entstehen, die durch eine angelegte <a href="Elektrische_Spannung" title="Elektrische Spannung">elektrische Spannung</a> im Halbleiterkristall wandern;<a href="#cite_note-Quelle_5-11">[11]</a> dies kann z. B. durch erhöhte <a href="Temperatur" title="Temperatur">Temperatur</a><a href="#cite_note-Quelle_1-1">[1]</a> oder <a href="Strahlung" title="Strahlung">Strahlung</a> verursacht<a href="#cite_note-Quelle_5-11">[11]</a> bzw. verstärkt werden;<a href="#cite_note-Quelle_1-1">[1]</a></li>

<li>sich Leckstrompfade z. B. über den <a href="Mesa_(Halbleitertechnik)" title="Mesa (Halbleitertechnik)">Mesa</a>-Rand von Si-FET bilden;<a href="#cite_note-Quelle_6-10">[10]</a></li>

<li>gewöhnliche Leistungshalbleiter sich im Sperrzustand befinden,<a href="#cite_note-Quelle_4-8">[8]</a> speziell auch Schottky- und Feldeffekt-Halbleiter.<a href="#cite_note-Quelle_7-9">[9]</a></li></ul>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Einzelnachweise">Einzelnachweise</h2></div>

<li id="cite_note-Quelle_1-1">↑ <a href="#cite_ref-Quelle_1_1-0">a</a> <a href="#cite_ref-Quelle_1_1-1">b</a> <a href="#cite_ref-Quelle_1_1-2">c</a> <a href="#cite_ref-Quelle_1_1-3">d</a> Daniel Hähnel: Herstellung, Charakterisierung und Simulation von Germanium.p-Kanal-Tunneltransistoren. Dissertation an der Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik der Universität Stuttgart, Stuttgart 2020, S. 48, 49.

</li>

<li id="cite_note-Quelle_2-2">↑ <a href="#cite_ref-Quelle_2_2-0">a</a> <a href="#cite_ref-Quelle_2_2-1">b</a> <a href="#cite_ref-Quelle_2_2-2">c</a> Sebastian Wiegand: Herstellung und Charakterisierung Sol-Gel basierter Kalium-Natrium-Niobat-Schichten. Dissertation am Fachbereich Material- und Geowissenschaften der technischen Universität Darmstadt, Darmstadt 2014, S. 40, 41.

</li>

<li id="cite_note-Quelle_8-3"><a href="#cite_ref-Quelle_8_3-0">↑</a> <a rel="nofollow" class="external text" href="https://epa.de/download/de/02_Kataloge/02.03_Ableitstrom/EPA_Ableitstrom_Fibel.pdf">Ableitstrom Fibel</a> (EPA.de, PDF, mehr als 18 MB)

</li>

<li id="cite_note-4"><a href="#cite_ref-4">↑</a> <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.neumueller.com/de/knowledge/stromversorgung/glossar/leakage-current">Knowledge Center/Stromversorgung/Glossar/Leakage Current (Neumüller Elektronik GmbH)</a>

</li>

<li id="cite_note-5"><a href="#cite_ref-5">↑</a> Als Beispiel: <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.voltimum.de/artikel/wissenswertes-zur-ableitstrom-bzw">Wissenswertes zur Ableitstrom- bzw. Leckstrommessung</a>

</li>

<li id="cite_note-6"><a href="#cite_ref-6">↑</a> <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.neumueller.com/de/knowledge/stromversorgung/glossar/leckstrom">Knowledge Center/Stromversorgung/Glossar/Leckstrom (Neumüller Elektronik GmbH)</a>

</li>

<li id="cite_note-Quelle_3-7"><a href="#cite_ref-Quelle_3_7-0">↑</a> Felix Karsten: Entwicklung eines intelligenten Energiemanagementsystems für medizinische Notfallgeräte. Bachelorthesis an der Fakultät für Technik und Informatik der Hochschule für Angewandte Wissenschaften Hamburg, Hamburg 2017, S. 18, 88.

</li>

<li id="cite_note-Quelle_4-8">↑ <a href="#cite_ref-Quelle_4_8-0">a</a> <a href="#cite_ref-Quelle_4_8-1">b</a> <a href="#cite_ref-Quelle_4_8-2">c</a> <a href="#cite_ref-Quelle_4_8-3">d</a> W.-Toke Franke: Vergleich von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern und ihre Anwendung in einem wirkungsgradoptimierten PV-Wechselrichter. Dissertation an der Technischen Fakultät der Christian-Albrechts-Universität zu Kiel, Kiel 2013, S. 6, 11, 17, 79, 99, 100, 101.

</li>

<li id="cite_note-Quelle_7-9">↑ <a href="#cite_ref-Quelle_7_9-0">a</a> <a href="#cite_ref-Quelle_7_9-1">b</a> Jan Böcker: Analyse und Optimierung von AlGaN/GaN-HEMTs in der leistungselektronischen Anwendung. Elektronische Energietechnik an der TU Berlin, Band 11, Universitätsverlag der TU Berlin, S. 15, 16.

</li>

<li id="cite_note-Quelle_6-10">↑ <a href="#cite_ref-Quelle_6_10-0">a</a> <a href="#cite_ref-Quelle_6_10-1">b</a> Sam Isao Schmitz: Abhängigkeit des Leckstroms und der Dielektrizitätskonstanten in SrTiO3- und (Ba,Sr)TiO3-Dünnschichtkondensatoren von der Kontaktmetallisierung. Bericht des Forschungszentrums Jülich, genehmigte Dissertation an der RWTH Aachen, Jülich 2002, ISSN 0944-2952 S. V, 3, 36, 37, 58, 61, 63, 79, 94.

</li>

<li id="cite_note-Quelle_5-11">↑ <a href="#cite_ref-Quelle_5_11-0">a</a> <a href="#cite_ref-Quelle_5_11-1">b</a> Andreas Pahlke: Einfluss der Oxidqualität auf die Stabilität von Halbleiterdetektoren bei Röntgenbestrahlung. Dissertation an Fakultät für Physik der Technischen Universität München, München 2004, S. 13–15.

</li>

</ol></div><div><div class="zim-footer">

Dieser Artikel wurde von <a class="external text" title="Zuletzt bearbeitet am 2025-01-30" href="https://de.wikipedia.org/wiki/?title=Leckstrom&oldid=252823298">Wikipedia</a> herausgegeben. Der Text ist unter <a class="external text" href="https://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/deed.de">Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0</a> verfügbar, sofern nicht anders angegeben. Für die Mediendateien können zusätzliche Bedingungen gelten.

</div>

</div></div>

</div>

</main>

</div>

</body></html>